【摘要】结合扫描隧道显微学测量和密度泛函理论计算研究了直接吸附在Cu011）表面的单个苉分子的电子结构性质．在低覆盖度下，苉分子表现出了单分散的吸附行为，利用dUdV谱和图像可以辨别出吸附的单个苉分子在-1．2V附近的最高占据态和1．6V附近的最低未占据态．此外，还可以观测到苉分子未占据态的dI／dV信号对采谱位置具有很强的依赖性．第一性原理计算很好地模拟了这些实验结果，并且将它们归因于分子-衬底相互作用引起的苉分子不同分子轨道之间的混合态的能量和空间分布．该工作提供了吸附在金属衬底表面的苉分子的局域电子结构信息，将促进对单分子器件中电子输运性质对分子一金属电极耦合的依赖性的理解．
【关键词】
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