【摘要】利用X-射线光电子能谱（XPS）和程序升温脱附谱（TPD）研究了三甲基镓在Pd（111）表面的吸附和解离行为，并考察了表面预吸附H和O的影响。结果表明，在吸附温度为140K时，三甲基镓在Pd（111）上主要为解离吸附，此时表面物种为Ga（CH3）x（x=1，2，3）和CHx物种。加热将导致Ga的甲基化合物中的Ga-C键发生分步断裂，在不同温度下产生CH4和H2从表面脱附。同时，XPS结果证实了在275~325K的温度区间内存在Ga甲基化合物的分子脱附。退火至更高温度，表面只观察到积碳和金属Ga物种，这二者随着温度的继续升高逐渐向体相扩散。在Pd（111）表面预吸附O和H对上述吸附和解离
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