【摘要】利用第一性原理计算方法研究了表面悬挂键对GaAs纳米线掺杂的影响及其钝化.计算结果显示,不论是闪锌矿结构还是纤锌矿结构,GaAs纳米线表面Ga原子上带正电荷的表面悬挂键都是一类稳定的缺陷,并且这种稳定性不会随着纳米线直径的变化而变化.这种表面悬挂键会形成载流子陷阱中心从而从p型掺杂的GaAs纳米线俘获空穴,使得纳米线的掺杂效率下降.和NH3相比,NO2具有足够的电负性来俘获GaAs纳米线表面悬挂键上的未配对电子,从而有效地钝化GaAs纳米线的表面悬挂键,提高纳米线的p型掺杂效率,并且这种钝化特性不会随着纳米线直径的变化而改变.
【关键词】
全文来源于知网
Ar原子偶宇称3p^5(^2P1/2)nl′[k′]J(l′=1,3)自电离态激发谱线形研究 李春燕1 周梅1 何志巍1 张今红1 陈 2016 281 0 ¥:0
收藏
阴性及中性丝氨酸与纯的金属掺杂石墨烯相互作用的密度泛函理论研究 王群5 王蒙豪1 王科锋3 赵永驰4 王 2016 326 0 ¥:0
收藏
键解离焓的理论方法研究 李璐1,2 樊红军2 胡浩权1 2016 345 0 ¥:0
收藏
丙烷与O(^3P)反应机理和动力学的理论研究 荆富强1,2 曹剑炜2 刘小君1 胡煜峰 2016 356 0 ¥:0
收藏
溶液和熔化状态下分子间的能量传递 沈宇能1,3 蒋博2 葛传琦1,4 邓罡 2016 404 0 ¥:0
收藏