【摘要】基于电子密度泛函理论计算,系统研究了氧空位对V—C(p型)、Cr—N(n型)、V—N和Cr—C(电中性)四种共掺型锐钛矿TiO2的几何和电子结构的影响.结果表明在最稳定构型中氧空位处在与金属杂质原子相连的位置.由于氧空位的出现,共掺Ti02禁带中一些未占据的杂质态被填充满电子,掺杂体系的导带带边位置几乎不变,这有利于减少光生载流子复合,且不影响光解水过程中的产氢反应,在厌氧条件下很容易在V—N共掺TiO2中引入氧空位.
【关键词】
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