【摘要】用密度泛函理论研究了不带自旋的空穴注入并五苯后体系的自旋相关特性.电荷注入后并五苯分子中存在自发自旋极化行为.当注入电荷量达一定程度，分子磁矩随注入电荷量的增加呈线性增长，最大磁矩可达1μB.注入电荷和并五苯分子的相互作用导致分子体系结构发生变化，同时电荷密度分布及自旋密度分布也发生了变化.注入电荷先填充自旋劈裂的碳原子pz轨道.
【关键词】
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