【摘要】采用电沉积的方法在多孔氧化铝模板中合成了直径为30nm且沿着[0112]方向生长的单晶铋纳米线,测量了纳米线电导随着温度78~320K变化的关系曲线.结果发现,其半金属半导体转变的温度为230K,且纳米线的电导有很强的温度依赖性.
【关键词】
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