【摘要】采用密度泛函理论第一性原理超软赝势的方法，计算了过渡金属与C共掺杂ZnO的磁学和光学性质．计算结果表明，共掺杂均导致费米能级发生移动，掺杂体系共价性强弱发生变化，且共掺杂更有利于高居里温度铁磁性半导体的实现；为了进一步分析掺杂体系的磁学性质，研究了其铁磁态与反铁磁态的能量差、空间电荷和自旋密度分布．各种类型掺杂体系在高能区的光学性质与纯净ZnO几乎一致，而在低能区却存在较大差异，结合电子结构定性解释了光学性质的变化．
【关键词】
全文来源于知网
Ar原子偶宇称3p^5（^2P1／2）nl′[k′]J（l′=1，3）自电离态激发谱线形研究
李春燕1 周梅1 何志巍1 张今红1 陈
2016
281
0
￥:0
收藏
阴性及中性丝氨酸与纯的金属掺杂石墨烯相互作用的密度泛函理论研究
王群5 王蒙豪1 王科锋3 赵永驰4 王
2016
326
0
￥:0
收藏
键解离焓的理论方法研究
李璐1,2 樊红军2 胡浩权1
2016
345
0
￥:0
收藏
丙烷与O（^3P）反应机理和动力学的理论研究
荆富强1,2 曹剑炜2 刘小君1 胡煜峰
2016
356
0
￥:0
收藏
溶液和熔化状态下分子间的能量传递
沈宇能1,3 蒋博2 葛传琦1,4 邓罡
2016
404
0
￥:0
收藏
