【摘要】通过引入添加剂，调节腐蚀溶液的pH值，实现了一步法制各黑硅表面．在取得低表面反射率的同时，减小了黑硅层的腐蚀深度，对于16rain腐蚀的黑硅层，其表面加权平均反射率可达5％（300-1200nm），但腐蚀深仅约为200nm．减小腐蚀深度能够降低黑硅太阳电池的表面复合速率，从而提高太阳电池性能，尤其是开路电压及填充因子．以新腐蚀液制各的黑硅为衬底，在常规太阳电池产线上制备大面积P-Si黑硅太阳电池，实现了15．63％的转换效率，具有高的开路电压（62432mv）和填充因子（77．88％），改进了大面积黑硅太阳电池的性能．
【关键词】
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