【摘要】为了确定Si（111）-√7×√3-In表面的结构以及理解其电子性质，构建了六角型和矩形型的六种模型，并进行了第一性原理计算．通过模拟这些模型的扫描隧道显微镜图像，计算了功函数，并和实验结果进行了比较．发现hex-H3’模型和Hrect—T1模型分别为实验中的六角型和矩形型结构．同时还讨论了In覆盖度在1．0单层附近时In／Si（111）表面结构的演化机制．认为4×1相和√7×、√3相具有两种不同的演化机制，和实验结果一致．
【关键词】
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