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焙烧温度对SiO2负载的Co3O4纳米粒子表面氧缺陷浓度和CO氧化催化性能的影响

【摘要】以传统的浸渍法,在不同焙烧温度下制备了用于CO氧化反应的Co3O4/SiO2催化剂.通过激光拉曼光谱(Raman)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)、程序升温还原(TPR)和X射线吸收精细结构谱(XAFS)表征了该系列催化剂的结构.存所有的催化剂中,XRD和Raman光谱都只检测到了Co3O4晶相的存在.与Co3O4体相相比,XPS结果表明在200℃焙烧的(Co3O4(200)/SiO2)催化剂中Co3O4表面上存在着过量的Co^2+.与XPS的结果一致,TPR结果表明Co3O4(200)/SiO2催化剂中Co3O4表面上存在氧缺陷,并且XAFS结果也表明Co3O4(2

【关键词】

15274 0页 化学物理学报 2012年1期 免费 李金兵1 姜志全2 王坤2 黄伟新2

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