【摘要】在覆盖有钨电极的硅衬底上利用多孔阳极氧化铝模板为生长掩膜电沉积合成垂直排列的铜铟硒纳米棒阵列．多孔阳极氧化铝模板由阳极氰化磁控溅射制备的铝膜制成．扫描电子显微镜结果表明，该纳米棒阵列结构致密，直径约100nm长度约1um，纵横比为10．X射线衍射、微区拉曼光谱和高分辨透射电子显微镜结果表明，真空条件下450℃退火处理的铜铟硒纳米棒是多晶纯相的黄铜矿结构的铜铟硒，存纳米棒轴向方向上有比较大的晶粒尺寸．能量色散X射线光谱表明，铜铟硒纳米棒的化学组成接近InSe2的化学计量比，由吸收光谱分析推算铜钠硒纳米棒带隙为0．96eV．
【关键词】
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