【摘要】运用第一性原理进行了相关计算研究Ga掺杂的ZnO和ZnS的电子结构的差异.结果表明,LDA和LDA+U计算的结果在定性上是一致的.掺杂Ga以后,ZnO和ZnS的费米能级处均出现杂质态.掺杂中的ZnO,杂质态在导带是离域的.掺杂后的ZnS,虽然P态比较离域,但其S态在费米能级处却是局域的.前线轨道的电荷密度分布也给出了相同的信息.交换ZnO和ZnS的晶格结构,结果不变.局域化的Ga-s态是导致掺杂ZnS电学性能差的原因.
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