【摘要】基于密度泛函理论的广义梯度近似方法研究了中性单点缺陷γ-Si3N4的能量、电子结构和光学性质.N缺陷的结合能和形成能比Si（8）和Si（4）位的都低，显示γ-Si3N4中N缺陷更易形成.分析了各种缺陷情况下相应的态密度.Si缺陷能形成p型半导体，N缺陷使材料形成间接带隙的n型半导体.Si缺陷情况下，物质有相对大的静态介电常数，在可见光区和红外区，吸收和反射得到显著改善，但是N缺陷却没什么影响.
【关键词】
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