【摘要】采用电化学沉积Ag的方法对多孔硅表面进行钝化改善其发光性能,探讨了沉积电流密度大小与沉积Ag的形式以及多孔硅表面亲水性处理对沉积Ag均匀性的影响.结果表明,改变沉积电流密度大小后出现了两个临界电流密度,即不发生Ag沉积和在PS表层形成Ag电镀,深入PS孔道内沉积Ag的电流密度范围为50~400A/cm^2;多孔硅表面亲水性处理对沉积Ag均匀性有积极作用,在相同的实验条件下,未经表面亲水性处理的疏水多孔硅表面沉积Ag不均匀,而经过SC-1溶液处理后的亲水多孔硅表面上沉积Ag分布较均匀.进一步研究了均匀沉积Ag钝化处理对PS的光致发光强度和稳定性的影响,证明采用Ag钝化处理能有效地抑制发光
【关键词】
全文来源于知网
Ar原子偶宇称3p^5(^2P1/2)nl′[k′]J(l′=1,3)自电离态激发谱线形研究 李春燕1 周梅1 何志巍1 张今红1 陈 2016 281 0 ¥:0
收藏
阴性及中性丝氨酸与纯的金属掺杂石墨烯相互作用的密度泛函理论研究 王群5 王蒙豪1 王科锋3 赵永驰4 王 2016 326 0 ¥:0
收藏
键解离焓的理论方法研究 李璐1,2 樊红军2 胡浩权1 2016 345 0 ¥:0
收藏
丙烷与O(^3P)反应机理和动力学的理论研究 荆富强1,2 曹剑炜2 刘小君1 胡煜峰 2016 356 0 ¥:0
收藏
溶液和熔化状态下分子间的能量传递 沈宇能1,3 蒋博2 葛传琦1,4 邓罡 2016 404 0 ¥:0
收藏