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Growth Kinetics of Silicon Carbide Film Prepared b

【摘要】原文如此,电影被在不同温度在正常压力氩空气加热polystyrene/Si(111)准备。这些电影被X光检查衍射调查,扫描电子显微镜学,X光检查光电子光谱学和Fourier变换红外线的吸收大小。厚度原文如此,电影从FTIR系列被计算。生长过程的生长动力学原文如此,电影也被调查。厚度原文如此,与增加生长温度为1h种的电影在三个温度范围有不同趋势:慢慢地增加(12001250°C),快速增加(12501270°C),并且减少(12701300°C)。生长过程的明显的激活精力原文如此,在三个范围的电影被计算是122.5,522.5,并且−127.5J/mol分别地。不同生长过程的机制被讨论。

【关键词】

5423 0页 化学物理学报 2009年1期 免费 Jian-wen Wang Yu-xia

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