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Pulsed Laser Deposition ZnS Buffer Layers for CIGS

【摘要】模式。平面并且代表性的形态学被扫描电子观察显微镜。稠密的、光滑的、一致谷物通过PLD技术在石英玻璃底层上被形成。PLD扔的ZnS的谷物尺寸是比由常规CBD方法的CdS的小得多的,它作为有害房间性能的主要原因被分析。ZnS电影的作文被X光检查荧光也测量。在这个工作获得的典型ZnS电影在stoichiometric和仅仅小数量附近S富有。在不同温度的精力乐队差距被吸收光谱学测量获得,它与增加免职温度从3.2eV增加到3.7eV。ZnS让一个更宽的精力乐队比CdS(2.4eV)豁开,它能提高光电的房间的蓝反应。这些结果出现这些代用品缓冲区层材料高质量通过一种所有干燥的技术被准备,它能在帝国参

【关键词】

5673 0页 化学物理学报 2009年1期 免费 Pai-feng Luo1,2 Guo-

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