【摘要】采用密度泛函(DFT)方法B3P86在6-311++G(d,p)基组水平上优化得到了分子轴方向不同电偶极场(-0.04～0.04a.u.)作用下,二甲基硅酮的基态电子状态、几何结构、电偶极矩和分子总能量.在优化构型下用同样的基组采用杂化CIS-DFT方法(CIS-B3P86)研究了同样外电场条件下对二甲基硅酮的激发能和振子强度的影响.计算结果表明,分子几何构型与电场大小和方向呈现强烈的依赖,正向电场下基态偶极矩随电场强度线性增加,分子总能量降低,当反向电场大于0.03a.u.时,偶极距方向改变,总能量增加;激发能随电场增加急剧减小,且对电场方向的依赖呈现出不对称性,满足Grozema关
【关键词】
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