【摘要】采用高真空电子束蒸发的方法将镍(Ni)淀积在4H-SiC(0001)面上,制备出良好的Ni/4H-SiC肖特基接触.研究了Ni/4H-SiC肖特基势垒在强磁场和低温下的I-V特性,并以热电子发射理论为基础,结合弛豫近似玻尔兹曼方程对Ni/4H-SiC肖特基势垒在磁场下的输运性质进行了分析和计算,发现电流的变化与磁场的平方和电压成线性关系,和温度成反比关系,与实验结果基本符合。
【关键词】
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