【摘要】利用用效质量近似,考虑有限深势阱,对半导体纳米晶的光吸收增强效应进行了研究,提出了一个基本的模型,在限制区,随着半导体纳米晶尺寸的减小,势阱壁对电子-空穴对的相对运动的限制作用大大地增强了光吸收振子强度,对激子的质心运动的限制作用缓慢地啬了吸收振子强度,而跃迁频率的变化减小了振子强度,这三者的总体贡献导致了光吸收系数的大大增强;在弱限制区,单位体积的光吸收振子强度趋于一个常数,这与著名的巨振子强度
【关键词】
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