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磁控溅射制备Ta2O5/TiO2薄膜及其光学与电学性能的研究

【摘要】用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Si和玻璃基片上制备了Ta2O5/TiO2混合薄膜,薄膜的透射光谱研究结果表明,在TiO2掺入浓度为0到17%,薄膜的折射率从2.08到2.23。薄膜折射率与掺入TiO2的浓度呈近线性关系。薄膜的MOS电容器的I-V和C-V测量表明,经过退火处理能够提高Ta2O5/TiO2混合薄膜的介电常数。

【关键词】

4119 0页 化学物理学报 1999年2期 免费 傅正文 张胜坤

全文来源于知网

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