【摘要】利用光电子能谱技术研究了室温Ｃｅ膜表面的氧化，分析了在不同氧气暴露量下，稀土金属Ｃｅ氧化状态和样品功函数的变化，结果表明，在Ｏ２吸会的过程中，生成两种Ｃｅ的氧化物，在低的暴露量时，氧在Ｃｅ表面的吸队十分迅速，生成Ｃｅ２Ｏ３，同时，Ｃｅ２Ｏ３中的Ｃｅ３ｄ和Ｏｌｓ谱峰随着氧气暴露量的增加向低结合能方向漂移，在高的暴露量下，氧在表面的吸附趋子缓慢，表面的Ｃｅ２Ｏ３被氧化成ＣｅＯ２，通过对样品加热，能使得
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