【摘要】我们用XPS、UPS及功函数的测量研究了氧在Cs复盖的及清洁的GaAs(100)表面的吸附行为.实验结果证明,在0.6ML的Cs复盖度下,碱金属Cs可以使衬底的氧化大大增强.在氧吸附初期(<1L),氧优先吸附在碱金属复盖层以下或碱金属原子之间的As原子位置上.随氧的暴露量的增加,氧吸附在Ga和As的位置上.此时,Ga和As独立地被氧化形成Ga_2O_3和As_2O_3。
【关键词】
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