【摘要】用He原子衍射研究了氟化Si(100)表面的结构。由He衍射测定表明Si的悬空键是氟吸附的位置。F2与Si(100)2×1反应并不扰乱Si-Si二聚键,在F2入射平动能低时反应实际上在氟的复盖度为一个单层上停止进行。提高了F2入射平动能可经活化而使F2与氟化的表面进一步反应,而且在高能F2暴露后观察到无序的表面结构。
【关键词】
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