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1064nm脉冲激光诱导Cl2对GaAs(100)表面蚀刻反应动力学

【摘要】本文采用超声分子束和角分辨的时间分辨质谱技术,研究1064nm脉冲激光辐照下Cl2对GaAs(100)单晶表面的蚀刻反应动力学。测量了反应产物的质量分布,速度分面睡窨角分布。通过研究激光能量密度对反应产物产率的影响,认为近红外激光的作用主要是通过加热表面脱附反应产物。同时还发现增加入射Cl2的平动能和它在表现法线方向的分量可提高反应产物的产率。

【关键词】

17354 0页 化学物理学报 1993年5期 免费 张抗战1,2 卢平和1 秦启宗1

全文来源于知网

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