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CuGa1-xInxSe2薄膜材料的研究进展

【摘要】CuGa1-xInxSe2薄膜材料是具有黄铜矿结构的半导体化合物,由于具有大的吸收系数,并可通过改变X来调整禁带宽度从而实现能隙裁剪等优点,已广泛应用于制备太阳能电池,其转化效率可高达18;8%。目前,CuGa1-xInxSe2薄膜的制备主要有三段制备法和金属层预置后硒化法两种。对上述两种制备方法进行了介绍,总结了CuGa1-xInxSe2薄膜材料在太阳能电池中的商业化现状。并提出今后CuGa1-xInxSe2薄膜材料研究应在进一步研究薄膜的形成机理,降低缺陷,寻找更合适的品格适配率衬底材料等方面进行。

【关键词】

10124 0页 攀枝花学院学报(综合版) 2011年3期 免费 苗峰1 黄毅1 张传武1

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