【摘要】在AlcatorC-Mod中大多数运行条件下，H模的主要类型是稳态增强Da(EDA)模，表征为良好的能量约束，连续降低的杂质约束及没有规则的边缘局域模（ELMs)。在这种工况下，观察到准耦合（QC）电磁模（Rθ-5cm^1,f-100kHz)，它位于密度坪顶区域，实验数据表明，这种模对粒子输运的增强负责，实验显示，QC模可以存在于边缘温度－安全因子空间内确定好的区域，有利于边缘高的q值（q95≥3．5）和所要求的适当的坪顶温度Tc^ped≤Tc(Tc-400eV)。因为边缘温度和压力梯度增大，所以QC模被宽带低扰动（f<50kHz)代替。在这些放电中以小而多刺的ELMs,对C－M
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